光刻工艺是半导体制造中最为重要的一个步骤。光刻工艺是以光刻胶的感光性及耐腐蚀性等特性，将掩膜版上的图形转移到硅片的光刻胶上，为了之后的刻蚀及离子注入等工艺做准备。一般的光刻工艺流程分为:衬底准备、涂胶、软烘于、对准和曝光、曝光后烘干、显影。

HMDS烤箱，HMDS真空烘箱的由来

半导体工艺中需要在各种衬底上进行光刻胶涂布，黏附性是否良好是最大的问题。黏附差导致严重的侧面腐蚀，线条变宽，甚至有可能导致图形全部消失，湿法刻蚀技术要求光刻胶与下面的衬底有很好的黏附性。

提高光刻胶与衬底之间的黏附力有多个步骤：

a、涂胶前进行脱水坚膜;

b、使用黏附促进剂，即HMDS(六甲基二硅烷)增粘剂气相涂布;

c、高温后烘。

完成以上工艺仅用我司生产的HMDS真空烘箱即可。

HMDS烤箱，HMDS真空烘箱

温度范围：RT+10-250℃

真空度：≤133pa（1torr）

控制仪表：人机界面，一键运行

储液瓶：HMDS储液量1000ml 

真空泵：无油涡旋真空泵

       HMDS真空烘箱也称为智能型HMDS真空系统 将HMDS气相沉积至半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料表面后，经系统加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。