快速热处理退火炉,半导体RTP快速退火 炉可用于硅及其他化合物材料离子注入后的退火,硅化物形成,欧姆接触制备以及快速氧化,快速氮化等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温功能
快速热处理退火炉,半导体RTP快速退火 炉简介
快速退火炉(RTP)近年来得到越来越广泛的应用。可用于硅及其他化合物材料离子注入后的退火,硅化物形成,欧姆接触制备以及快速氧化,快速氮化等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温功能,采用三回路闭环温度控制,精确的温度控制部件可适用于特殊工艺要求,工艺重复性高,也可用于铁电膜的制备以及各种半导体材料CVD的热处理。
JS-RTP系列快速热处理退火炉为我公司根据客户需求专业定制的热处理设备,半导体RTP快速退火炉主要用于:快速烧结、快速退火等工艺。具有:温度均匀、控制稳定等特点,触摸屏操作方式(设备小巧,节约空间)。
快速热处理退火炉,半导体RTP快速退火 炉主要技术参数
1、外型形式:台式
2、样品尺寸:2-8英寸
3、外部炉膛:合金镀金炉膛
4、内部炉膛:优质石英材质、可拆下清洗,有进、出气接口
5、加热材质:红外线灯管加热
6、显示:触摸屏或电脑式
7、温度范围:300-1000℃
8、控温精度:±5℃
9、升温速率:10℃-50℃/S可调
10、降温速率:10℃-50℃/S不可调
11、降温方式:水冷(冷水机或冷水管道+气冷)
12、工艺气体:三路,一路氮气、一路空气、一路氧气,配备质量流量计,气体流量自动调节
13、真空度:可达0.05torr(可选配)
14、真空系统:进口无油真空泵
15、保护系统:超温保护,流量保护,计时控制,缺水报警等。