HMDS真空烘箱处理系统:性能更好,由于是在经过数次的氮气置换再进行的HMDS处理,所以不会有尘埃的干扰,再者,由于该系统是将“去水烘烤“和HMDS处理放在同一道工艺,同一个容器中进行,晶片在容器里先经过100℃-160℃的去水烘烤,再接着进行HMDS处理,不需要从容器里传出,而接触到大气,晶片吸收水分子的机会大大降低,所以有着更好的处理效果。
HMDS真空烘箱处理系统技术参数
电源电压:AC 220V±10%/50Hz±2%
输入功率:2000W
控温范围:RT+20℃-160℃
温度分辨率:0.1℃
温度波动度:±0.5℃
达到真空度:-100kPa(1torr)
工作室尺寸(mm):450*450*450(可定做)
有可自动吸取添加HMDS功能,智能型的程式设定,一键完成作业。
HMDS真空烘箱处理系统加热模块
由于工艺的整个过程都需要在150℃左右的环境下进行,所以自始至终加热
系统都在工作。
本系统采用在腔内分布两块独立的热板来实现加热,每个热板都采用人工智
能PID调节仪实现闭环控制,调节仪控制固态继电器的输出从而实现温度的精确
稳定控制,测温采用通用的高精度热敏电阻Pt100。
真空模块
由机械泵、真空组件、真空测量等组成,主要作用是置换气体和抽走剩余的
HMDS蒸汽。
充氮模块
作用是在置换过程中,用氮气来逐渐稀释空气或药液蒸汽,从而zui终替换空气
或药液蒸汽的气氛。
主要由氮气源、控制阀和喷头组成。
控制模块
控制模块是本系统的核心模块,它的作用是控制各个模块的动作和时序,完
成整个工艺过程。
它主要由人机界面,CPU控制中心,控制接口和输出部件,报警等5部分组
成。
人机界面采用φ100mm松下触摸屏来实现参数、状态等界面的显示和参数的设定输入。PLC采用松下的FP0系列小型化PLC。